下一代半导体照明市场状况分析_市场分析_行业资讯_LED照明产业网

**代是在碳化硅和硅基底上的LED，而第二代LED则是基于氮化镓基底，二者比较而言，用氮化镓做基底的第二代LED较**代有很大的提高，如电流密度、温度都有很大提高。在性能方面，**代是在碳化硅和硅基底上的LED，而第二代LED则是基于氮化镓基底，二者比较而言，用氮化镓做基底的第二代LED较**代有很大的提高，如电流密度、温度都有很大提高。在性能方面，采用非极化和半极化的方式进行研究，并在2007年有了更大的突破，可以实现降低50%成本，发光率则增长50%. 氮化镓基底没有以往那些晶体的缺陷，不仅能提高电流密度，还可以使散热增加0.4%～0.5%，因此用氮化镓做基底的LED将更加明亮。除此之外，用氮化镓还能减少LED的数量，做出非常漂亮的点光源，并可以达到75W卤素灯的水平，而且输入功率只有12W，我们也将其称之为激光灯，未来将非常有潜力，主要原因在于激光灯的效率非常高，电流效率是10～100A/cm2，而且芯片非常小。 *后，氮化镓比蓝宝石基底的LED更好，而且成本也有所下降，能够满足现有led技术要求，其电流密度可比以前增加10倍，照明质量更高。同时，使用氮化镓还可以采用非极化和半极化的平面，以提高它的效率。下一代半导体照明很可能是激光照明，虽然目前还没有大规模使用，但led灯与激光灯比较，效率下降小、电流密度增加许多，所以激光照明会是未来的一个发展趋势。